與雙極設備形成對比的是，MOSFET 開關屬于壓控設備。對于MOSFET來說，其開關導通/截止狀態(tài)的控制所采用的門極控制電壓類似于某些雙極晶體管的基極電流控制。實際上，為了獲得高速的MOSFET導通/截止，經(jīng)常采用具有較強正/反向電流驅(qū)動能力的驅(qū)動器。為了實現(xiàn)此目的，本節(jié)提出了幾個電路以供參考，但是沒有對它們進行深入分析。

    對于一個N溝道的MOSFET來說，給出了其最簡單的驅(qū)動器形式。上側(cè)的雙極晶體管負責導通，下側(cè)的雙  Vn極晶體管負責截止。通過引入一個電容創(chuàng)建電容耦合驅(qū)動器。此改進方案提供了一個更大的正向上涌電流，導通時，給內(nèi)置的門源電容充電。很止時，耦合電容和下端的驅(qū)動器為MOSFET的門極提供個短時間的負電壓，

   電容概合型N溝道MOSFET重動器  MOSFET更動器的修改可以通過引入一個二極管來實現(xiàn)對門極驅(qū)動電壓做出更多的調(diào)整，可以給出兩個不同的導通/截止驅(qū)動時間常數(shù)。可以引入個變壓 器實現(xiàn)浮動驅(qū)動，通過變壓器的耦合，也可以實現(xiàn)隔離功能。毫無疑問，這系列的改進方法顯示了此類分析方法的強大與魅力。

   開/關觀服家動器也就實現(xiàn)了中陶道MOSET的導通做止。對用于動事開關的P內(nèi)通MOSFET,建立其配簡單的驅(qū)動器電路、如果老門一面內(nèi)相間周12160防樓 個電容，可以實觀浪通抑制功能，在導通階段，電容電壓的最時特性使得P內(nèi)道設備銀值在程室品圍變化時，能動器網(wǎng)絡可能不會對能入電壓產(chǎn)生個可變電阻。當輸入電壓響應。

一個齊納二極管和電阻的組合使得輸入變化不再相干，從而該驅(qū)動器克服了低輸入電壓的問題。此外，也直接連接的二極管也提升了電路的開關速度。